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回落行情或已结束,但仍有需要跨越的门槛

2021-05-11 20:42

目前,以DRAM为代表的存储器市场整体呈现出供不应求的态势,存储器产品价格稳中有升。根据集邦咨询的预测,2021年2季度,服务器、PC、智能手机、图形存储器(GDDR)和消费类存储器等DRAM品类价格均将有所上涨,预计DRAM价格整体同比增长约13-18%,涨幅较2021Q1明显扩大,主要原因是:2021年2季度服务器市场旺季即将来临,相关厂商加大备货力度;PC需求旺盛,终端厂商积极备货;智能手机厂商在半导体缺货浪潮下扩大采购;游戏机、虚拟货币等应用带动图形存储器需求提升;消费类存储器供需剪刀差扩大,带动产品价格持续提升。3月3日,美光也宣布上调2021财年2季度财季财报预测,预计季度财季营收将达62-62.5亿美元,主要原因是DRAM市场备货需求持续,带动DRAM出货量、均价皆优于预期。在NAND市场,根据集邦咨询的预测,2021年2季度,NAND价格将同比上涨约3-8%,较2021年第一季度(NAND价格整体下跌5-10%)明显提升,主要原因是PC、智能手机支撑NAND需求;2021年2季度服务器市场旺季即将来临;三星德州厂停工对NAND控制芯片供应产生负面影响。2020年,长江存储宣布其128层QLC3DNAND闪存研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。从生产规模上看,长江存储规划建设3座全球单座洁净面积最大的3DNANDFlash产线,总投资规模达240亿美元,到2023年总产能可达30万片/月。随着长鑫存储、长江存储等本土存储器厂商在产品技术和市场拓展方面的持续突破和大力投入,国产存储器产业链有望充分受益。

【技术分析】

15分钟图,MACD指标的DIFF和DEA在中界线上方指示短线看多。2小时图,RSI指标位于空头区域。一目均衡表显示,收盘K线涨破转折线并测试基准线,由下向上进入云层,并在基准线下方推移;转折线在基准线下方推移;延迟线在K线上方。总的来说,整体仍是空头结构,但短线有反弹需求。

目前上方压力在基准线===3443、云层顶===3444、60天均线;下方支撑在云层底===3432、转折线===3425、200天均线。基准线的表现,将决定短期的进一步走向。

综上所述,指数偏于看跌,但短线需要关注3443的盘面情况。维持在3443上方看涨,而维持在3482上方则是较强的看涨信号。上方60天均线一旦涨破,则多头有望加速向上发展,上行目标指向3500关口。不过,一旦3475附近受阻,则形势将再度转而下行。

 

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